Разработать систему управления автоматической линией гальванирования на базе японского программируемого контроллера TOYOPUC-L

U1 = 220 В

Относительное отклонение в сторону повышения :

amax = [pic]

amax = [pic] = 0,091

Относительное отклонение сети в сторону понижения

amin = [pic]

amin = [pic] = 0,091

Частота тока сети :

fс = 50 Гц

Определяем параметры диодов.

Амплитуда обратного напряжения :

Uобр. max = 1,57 [pic] U0 [pic] ( 1 +

amax ) ( 1 , ст. 323 )

Uобр. max = 1,57 [pic] 9 [pic] (1 +

0,091 ) = 15,4 В

Среднее значение прямого тока :

Iпр.ср. = 0,5 [pic] I0

( 1 , ст. 323 )

Iпр.ср. = 0,5 [pic] 3 = 1,5 А

Действующее значение тока :

Iпр. = 0,707 [pic] I0

( 1 , ст. 323 )

Iпр. = 0,707 [pic] 3 = 2,2 А

По результатам расчётов выбираем по справочнику диоды с учётом того ,

что обратное напряжение Uобр. max , приложенное к диоду , должно быть

меньше максимального обратного напряжения для выбранного типа диода , а ток

Iпр.ср должен быть меньше предельно допустимого среднего значения тока ,

указанного в справочнике.

Исходя из выше перечисленных условий выбираем для выпрямителя диоды КД

202 Г с параметрами :

Iпр.ср.max = 4 А

( 3 , ст. 36 )

Uобр.max = 200 В

Uпр.ср. = 1,5 В

Iпр.имп. = 3 А

Iобр. = 0,05 А

Определяем сопротивление трансформатора Rтр. , диода Rпр. и по их

значениям находим сопротивление фазы выпрямителя Rф.

Rтр. = [pic] ( 1 , ст. 36 )

где

В – магнитная индукция , Тл ;

j – средняя плотность тока в обмотке трансформатора , [pic] .

Принимаем :

В = 1,3 Тл ( 1 ,

cт. 325 , табл. 9.5 )

j = 3 [pic]

( 1 , ст. 325 , табл. 9.6 )

Rтр. = [pic] = 0,44 Ом

Определяем сопротивление фазы выпрямителя.

Rф = Rтр. + 2 [pic] Rпр.

где

Rпр. – сопротивление диода.

Rпр. = [pic].

( 1 , ст. 322 )

Rпр. = [pic] = 0,38 Ом

Тогда

Rф = 0,44 + 2 [pic] 0,38 = 1,2 Ом

ОПРЕДЕЛЯЕМ НАПРЯЖЕНИЕ ХОЛОСТОГО ХОДА.

U0 хх = U0 + I0 [pic] Rтр. + Uпр. [pic] N

где

N – число диодов , работающих одновременно.

Для мостовой схемы , которая принимается

N = 2

( 1 , ст. 324 )

U0 хх = 9 + 3 [pic] 0,44 + 1,5 [pic] 2 =

13,2 В

Определяем параметры трансформатора , которые будут использоваться далее

для его расчёта

Напряжение вторичной обмотки :

U2 = 1,11 [pic] U0 хх

( 1 , ст. 323 )

U2 = 1,11 [pic] 13,2 = 14,7 В

Ток во вторичной обмотке трансформатора :

I2 = 1,2 [pic] I0

( 1 , ст. 323 )

I2 = 1,2 [pic] 3 = 3,6 А

Ток в первичной обмотке трансформатора :

I1 = I2 [pic] [pic]

( 1 , ст. 323 )

I1 = 3,6 [pic] [pic] = 0,24 А

Расчёт трансформатора.

Исходные данные для расчёта приведены выше :

напряжение питающей сети :

U1 = 220 В ;

напряжение вторичной обмотки :

U2 = 9 В ;

ток во вторичной обмотке :

I2 = 3,6 А ;

ток в первичной обмотке :

I1 = 0,24 А

Определяем габаритную мощность трансформатора :

Sг = [pic] ( 1 , ст. 325 )

где

[pic] - коэффициент полезного действия.

[pic] = 0,8

( 1 , ст. 325 )

Sг = [pic] Вт

Определяем произведение площадей поперечного сечения стержня и

площадь окна.

Sст. [pic] Sок. = [pic] ( 1 , ст. 325

)

где

Sкт – площадь поперечного сечения стержня магнитопровода,см2

Sок – площадь окна , см2 ;

fc – частота питающей сети , Гц

fc = 50 Гц

В – магнитная индукция , Тл

Принимаем

В = 1,2 Тл

( 1 , ст. 326 )

j – плотность тока в проводах обмоток трансформатора , [pic]

Принимаем

j = 2,5 [pic]

( 1 , ст. 326 )

kм - коэффициент заполнения медью окна сердечника ;

Принимаем

kм = 0,37

( 1 , ст. 326 )

kс – коэффициент заполнения сталью площади поперечного

сечения стержня магнитопровода ;

Принимаем

kс = 0,91

( 1 , ст. 326 )

[pic] - коэффициент полезного действия.

Sст. [pic] Sок. = [pic] 60 см4 ( 1 , ст. 325 )

По найденному произведению Sст. [pic] Sок выбираем из справочных

таблиц магнитопровод у которого данное произведение больше или равно

расчётному. Для нашего случая ближе всего по характеристикам находится

магнитопровод ПЛ 16[pic]32[pic]50 ( 1 , ст. 132 ).

Данные магнитопровода ПЛ 16[pic]32[pic]50

Sст. [pic] Sок. = 64 см4

Sст. = 5,12 см2

Sок. = 12,5 см2

Определяем число витков первичной и вторичной обмоток трансформатора.

W1 = [pic] ( 1 ,

ст. 326 )

W2 = [pic] ( 1 ,

ст. 326 )

где

[pic]U – относительное падение напряжения в обмотках , В .

Принимаем :

[pic]U1 = 5 %

( 1 , ст. 327 )

[pic]U2 = 4 %

( 1 , ст. 327 )

В – магнитная индукция , Тл ;

Sст. – площадь стержня магнитопровода , см2 .

W1 = [pic] = 1532 ( витков )

W2 = [pic] = 68 ( витков )

Определяем диаметр проводов обмоток ( без учёта изоляции (

толщины )), мм2

dn = [pic]

( 1 , ст. 326 )

диаметр проводов первичной обмотки , мм2

d1 = [pic] = 0,14 мм2

диаметр проводов вторичной обмотки , мм2

d2 = [pic] = 1,2 мм2

Для вторичной обмотки выбираем наиболее близкое значение диаметра

проводов из стандартного ряда :

d2 = 1,3 мм2

Расчёт стабилизатора напряжения блока питания + 5 В .

Исходные данные :

входное напряжение :

Uвх = 9 В ;

изменение входного напряжения :

Uвх = [pic] 2 В ;

максимальный ток нагрузки :

Iн max = 3,6 A ;

выходное напряжение :

Uвых. = 5 В

Плавная регулировка напряжения ( выходного ) в пределах от 4 В до 6

В.

В качестве стабилизатора выбираем схему компенсационного

транзисторного стабилизатора напряжения последовательного типа.

Стабилизатор состоит из регулирующего элемента( транзисторы ),

усилителя постоянного тока , источника опорного напряжения , делителя

напряжения и резисторов . Предусмотрена возможность регулировки выходного

напряжения - для этого в цепь делителя включён переменный резистор.

Регулирующий элемент состоит из трёх транзисторов . Данное

количество выбрано исходя из того , что ток нагрузки превышает 2А ( 1 ,

ст. 328 ).

Стабилизатор выполнен на транзисторах структуры n = p = n.

Определяем параметры и выбираем транзисторы.

Транзистор VT1

Определяем максимальный ток коллектора :

Iк max = 1,2 [pic] Iн max

( 1 , ст. 329 )

Iк max = 1,2 [pic] 3,6 = 4,3 А

Определяем максимальное напряжение коллектор – эмиттер :

Uк э max = Uвх. + [pic]Uвх. – Uвых.

( 1 , ст. 329 )

Uк э max = 9 + 2 – 5 = 6 В

Определяем предельную рассеиваемую мощность коллектора :

Рк = Uк э max [pic] Iк max

( 1 , ст. 329 )

Рк = 6 [pic] 4,3 = 25,8 Вт

По результатам расчётов выбираем из справочника транзистор VT1 ,

удовлетворяющий условиям :

Uк э ,1 max [pic] Uк э max

Iк 1 max [pic] Iк max

Pк 1 [pic] Pк

Приведённым условиям удовлетворяет транзистор КТ 805 Б с параметрами :

Рк = 30 Вт

Uк э max = 135 В

Iк max = 5 А

h2 1 э = 15

Iк б 0 = 70 м А

Транзистор VT 2

Максимальный ток коллектора :

Iк max = [pic]

( 1 , ст. 329 )

Iк max = [pic] = 0,3 А

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер :

Uк э max = Uвх. +[pic]Uвх. – Uвых.

( 1 , ст.329 )

Uк э max = 9 + 2 – 5 = 6 В

Предельная рассеиваемая мощность коллектора :

Pк = Uк э max [pic] Iк max

Pк = 6 [pic] 0,3 = 1,8 Вт

По результатам расчётов выбираем из справочника транзистор

удовлетворяющий условиям , которые указаны в расчётах транзистора VT1.

Приведённым условиям удовлетворяет транзистор КТ 603 А с параметрами:

Pк = 2 Вт

Uк э max = 30 В

Iк max = 0,3 А

h2 1 э = 15

Iк б 0 = 10 м[pic]А

Транзистор VT 3

Максимальный ток коллектора :

Iк max = [pic]

( 1 , ст. 329 )

Iк max = [pic] = 0,02 А

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер :

Uк э 3 max = Uк э 2 max

( 1 , ст. 329 )

Uк э 3 max = 6 В

Предельная рассеиваемая мощность коллектора :

Рк = Uк э max [pic] Iк max

Рк = 6 [pic] 0,02 = 0,12 Вт

По результатам расчётов выбираем из справочника транзистор VT3. Расчётным

параметрам удовлетворяет транзистор КТ 315 А с параметрами :

Рк max = 0,15 Вт

Uк э max = 25 В

Iк max = 0,1 А

h2 1 э = 20

Iк б 0 = 10 м к А

Транзистор VT 4

Максимальный ток коллектора :

Iк max = 5 [pic] 10-3 А

( 1 , ст. 329 )

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер :

Uк э max = Uвых. + [pic]Uвых. – UV D 1

( 1 , ст. 329 )

Uк э max = 5 + 1 – 3 = 3 В

Предельная рассеиваемая мощность коллектора :

Рк max = Iк max [pic] Uк э max

Рк max = 5 [pic] 10-3 [pic] 3 = 1,5

[pic] 10-2 Вт

По результатам расчётов выбираем из справочника транзистор VT 2.

Расчётным параметрам удовлетворяет транзистор КТ 315 Ж с параметрами :

Рк max = 100 мВт

Uк э max = 15 В

Iк max = 5 [pic] 10-2 А

h2 1 э = 30

Выбираем стабилитрон VD 1.

Определяем напряжение стабилизации стабилитрона :

Uст. = Uвых. - [pic]Uвых. – 2

( 1 , ст. 329 )

Uст. = 5 – 1 – 2 = 3 В

По расчитанному напряжению стабилизации выбираем в справочнике

стабилитрон наиболее подходящий по параметрам

КС 133 А с параметрами :

Uст. ном. = 3,3 В

Iст. ном. = 0,03 А

Рассчитываем номиналы сопротивлений :

R1 = [pic] кОм

( 1 , ст. 329 )

R1 = [pic] = 0,0225 кОм = 22,5 Ом

Выбираем значение R1 ближайшее из стандартного ряда R1 =24 Ом

R2 = [pic] ( 1

, ст. 329 )

R2 = [pic] = 175 Ом

Выбираем ближайшее значение из стандартного ряда и принимаем R2 = 180 Ом.

R3 + R4 + R5 = [pic]Rдел.

( 1 , ст. 329 )

[pic]Rдел. = [pic]

( 1 , ст. 329 )

[pic]Rдел. = [pic] = 833 Ом

R4 = [pic] ( 1 , ст. 329

)

R4 = [pic] 146 Ом

Выбираем номинал сопротивления из стандартного ряда :

R4 = 150 Ом

R5 = [pic]

( 1 , ст. 329 )

R5 = [pic] = 458 Ом

Принимаем для R5 ближайшее значение из стандартного ряда

R5 = 470 Ом

R3 =[pic]Rдел. - R4 - R5

( 1 , ст. 329 )

R3 = 833 – 150 – 470 = 213 Ом

Принимаем значение R3 ближайшее из стандартного ряда

R3 = 200 Ом

R6 = [pic]

( 1 , ст. 329 )

R6 = [pic] = 71 Ом

Из стандартного ряда принимаем :

R6 = 73 Ом

R7 = [pic]

( 1 , ст. 329 )

Выбираем значение R7 ближайшее из стандартного ряда :

R7 = 510 Ом

Определяем рассеиваемую мощность на сопротивлениях :

P = [pic]

P1 = [pic]

P1 = [pic] = 1,4 Вт

P2 = [pic]

P2 = [pic] = 0,166 Вт

Р3 = Iдел.2 [pic] R3

Iдел. = [pic]

Iдел. = [pic] = 0,009 А

Р3 = 0,0092 [pic] 200 = 0,087 Вт

Р4 = Iдел.2 [pic] R4

Р4 = 0,0092 [pic] 150 = 0,073 Вт

Р5 = Iдел.2 [pic] R5

Р5 = 0,0092 [pic] 470 = 0,1 Вт

Р6 = [pic]

Р6 = [pic] = 0,34 Вт

Р7 = Iк б 0 2 [pic] R7

Р7 = 0,012 [pic] 510 = 0,051 Вт

Мощность сопротивлений выбираем из стандартного ряда с номиналом большим

, чем расчитанная рассеиваемая мощность.

R1 = 2 Вт

R6 = 0,5 Вт

R2 = 0,125 Вт

R3 = 0,125 Вт

R4 = 0,125 Вт

R5 = 0,125 Вт

R7 = 0,125 Вт

По результатам вышеприведённых расчётов записываем параметры схемы

стабилизатора.

VT 1 – КТ 805 Б

VT 2 – КТ 603 А

VT 3 – КТ 315 А

VT 4– КТ 315 Ж

VD 1 – КС 133 А

VD 2 – КД 202 Г

VD 3 – КД 202 Г

VD 4 – КД 202 Г

VD 5 – КД 202 Г

С 1 – 1000 мкФ ; 25 В

R 1 – 24 Ом ; 2Вт

R 2 – 180 Ом ; 0,125 Вт

R 3 – 200 Ом ; 0,125 Вт

R 4 – 150 Ом ; 0,125 Вт – переменный резистор.

R 5 – 470 Ом ; 0,125 Вт

R 6 – 73 Ом ; 0,5 Вт

R 7 – 510 Ом ; 0,125 Вт

Описание работы стабилизированного источника питания 5 В.

Источник питания функционально состоит из понижающего трансформатора ,

выпрямителя и стабилизатора.

Переменное напряжение и вторичной обмотки трансформатора Тр 1 поступает

на выпрямитель VD2 [pic] VD5. Выпрямитель выполнен на мостовой схеме ,

данная схема выпрямления из всех вариантов двухполупериодных выпрямителей

обладает наилучшими технико – экономическими показателями. После

выпрямления напряжения сглаживается конденсатор С1. Далее напряжение

порядка 7 [pic] 9 В поступает на стабилизатор , который автоматически

поддерживает постоянство напряжения на нагрузке с заданной степенью

точности. В нашем случае применён транзисторный стабилизатор напряжения

компенсационного типа.

Стабилизатор состоит из регулирующего элемента ( VT 1 [pic] VT 3 ). Схемы

сравнения ( VT 4 ) , источника опорного напряжения ( VD 1 , R 2 ) ,

делителя напряжения ( R 3 [pic] R 5 ) и резисторов ( R 6 , R 7 ) ,

обеспечивающих режим транзисторов ( VT 2 , VT 3 ). Предусмотрена

возможность регулировки выходного напряжения , для этого в цепь делителя

включён переменный резистор R 4.

Работа стабилизатора : схема свравнения выполнена на транзисторе VT 4.

Стабилитрон VD 1 фиксирует потенциал эмиттера VT 4. Потенциал базы зависит

от тока с протекающего через R 3, R4, R 5. С помощью переменного

резистора R 4 выставляем точно , нужное напряжение +5 В. Если напряжение на

нагрузке , например увеличилось , то это будет означать то , что ток через

R 3 , R 4 , R 5 тоже увеличивается.

Следовательно , потенциал базы транзистора VT 4 станет более

положительным по отношению к эмиттеру , чем был раньше. Поэтому транзистор

VT 4 приоткроется , потенциал базы транзистора VT 3 уменьшится.

Следовательно , транзистор VT 3 прикроется и соответственно прикроются

транзисторы VT 2 и VT 1. В результате напряжение на эмиттере транзистора VT

1 уменьшится , а напряжение на нагрузке останится неизменным. Аналогично

стабилизатор будет работать и при уменьшении напряжения на нагрузке.

4.5 АЛГОРИТМ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ АВТОМАТИЧЕСКОЙ ЛИНИЕЙ ГАЛЬВАНИРОВАНИЯ

Алгоритм программы работы системы управления автоматической линии

гальванирования построен на основе требования опроса датчиков положения ,

расположенных на пути следования автооператора и в зависимости от их

состояния выдачи соответствующей команды.

Алгоритм работы системы управления автоматической линии гальванирования

приведён на чертеже.

Данный алгоритм в режиме отработки цикла осуществляет опрос состояния

датчиков положения автооператора.

При срабатывании соответствующего датчика алгоритм осуществляет подачу

соответствующей команды на выполнение соответствующей технологической

операции , после окончания которой продолжается отработка цикла , пока не

закончится время работы линии или не закончится технологический процесс

предварительной обработки деталей. В этом случае алгоритм осуществляет

переход к началу технологического процесса.

5.9. ОРГАНИЗАЦИОННАЯ ЧАСТЬ.

Системы управления автоматической гальванической линией с применением

управляющих вычислительных машин.

Системы управления автоматической гальванической линией с применением

управляющих вычислительных машин являются последним достижением в области

систем управления автоматической гальванической линией.

Такие системы предназначены как для решения всех задач управления ,

выполняемых обычными средствами управления , так и для решения

оптимизационных задач , а также задач , связанных с выполнением расчётов и

логических операций.

Применение управляющих вычислительных машин позволяет решить вопрос об

автоматизации гальванических цехов с мелкосерийным характером производства

при большой номенклатуре партий деталей.

Особенно большое развитие эти системы должны получить при создании

гибкого автоматизированного производства гальванопокрытий ( ГАП – Г ).

Требования к системе управления гальванопокрытий , разработанные

комиссией по автоматизации гальванического производства , в рамках общих

требований к оборудованию единой государственной системы гибкого

автоматизированного производства гальванопокрытий ЕГС ГАП – Г

предусматриваются все контролирующие и управляющие функции в ГАП – Г

выполнять пятью подсистемами управления : подготовкой производства ;

транспортно – складским комплексом ; нанесением покрытий ; очистными

сооружениями ; оперативного управления цехом.

Цепочка технологических операций , разбивка их по подсистемам управления

и связи между подсистемами показаны на рисунке 1. Система управления

выполняется по принципу децентрализованной распределённой системы и имеет

три уровня управления.

Рисунок 1. Система управления гибким автоматизированным

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6